杨沛锋

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
发文主题：MOSFET模型参数提取SI分子束外延锗硅合金更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子科技大学学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国防科技技术预先研究基金国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点实验室开放基金更多>>
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Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)
《功能材料与器件学报》2002年第2期123-127,共5页杨沛锋 李开成 何林 刘道广 张静 李竞春 谢孟贤 杨谟华 
NationalKeyLaboratoryfunds(99Js095.1)
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容...
关键词：锗硅材料 分子束外延 异质结双极晶体管 优化设计 
Optimization Design and Fabrication of Si/SiGe PMOSFETs
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1434-1438,共5页杨沛锋 李竞春 于奇 陈勇 谢孟贤 杨谟华 何林 李开成 谭开洲 刘道广 张静 易强 凡则锐 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :99Js0 95 .1)~~
Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe PMOSFETs are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe...
关键词：SIGE MOSFET OPTIMIZATION 
MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取被引量：5
《Journal of Semiconductors》2000年第3期268-273,共6页杨谟华 于奇 王向展 陈勇 刘玉奎 肖兵 杨沛锋 方朋 孔学东 谭超元 钟征宇 
国家自然科学基金!(编号 :695760 0 4 );国防预研 (基金 )
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现...
关键词：热载流子 退化 寿命 MOSFET 场效应晶体管 
Si_(1-x)Ge_x/Si材料外延生长技术
《电子科技大学学报》1999年第5期490-493,共4页杨沛锋 李开成 刘道广 
国防科工委预研基金
介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术，并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分（x=0.15）和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成功了St1-xGex-PMOS...
关键词：锗硅合金 分子束外延 有效组成成分 外延生长 
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