Optimization Design and Fabrication of Si/SiGe PMOSFETs  

Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制(英文)

作　　者：杨沛锋[1] 李竞春[1] 于奇[1] 陈勇[1] 谢孟贤[1] 杨谟华[1] 何林[2] 李开成[2] 谭开洲[2] 刘道广[2] 张静[2] 易强 凡则锐 

机构地区：[1]电子科技大学微电子科学与工程系,成都610054 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第11期1434-1438,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :99Js0 95 .1)~~

摘　　要：Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe PMOSFETs are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe channel,the thickness optimization of dioxide and silicon cap layer,and the adjustment of threshold voltage.In light of them,a SiGe PMOSFET is designed and fabricated successfully.The measurements indicate that the transconductance is 45mS/mm (300K) and 92mS/mm (77K) for SiGe PMOSFET's (L=2μm),while it is 33mS/mm (300K) and 39mS/mm (77K) for Si PMOSFET.通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的调节 ,基于此已研制出 Si/ Si Ge PMOSFET器件样品 .测试结果表明 ,当沟道长度为 2μm时 ,Si/ Si Ge PMOS器件的跨导为 45 m S/ mm(30 0 K)和 92 m S/ mm (77K) ,而相同结构的全硅器件跨导则为 33m S/ mm (30 0 K)和 39m S/ m m (77K) .

关 键 词：SIGE MOSFET OPTIMIZATION 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]