Si/SiGe异质结双极晶体管的研制(英文)  

Development on Si/SiGe heterojunction bipolar transistors

作　　者：杨沛锋[1] 李开成 何林 刘道广 张静 李竞春[1] 谢孟贤[1] 杨谟华[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子科学与工程系,成都610054 [2]模拟集成电路国家重点试验室,重庆400060

出　　处：《功能材料与器件学报》2002年第2期123-127,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：NationalKeyLaboratoryfunds(99Js095.1)

摘　　要：通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响。开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz。Through computer aided simulation and processing experiment,the stru cture parameters of Si /SiGe HBT were optimized carefully.An intrinsic space layer and a novel Ge fraction profile are used to reduce the influence of boron outdiffusion,base recombination a nd HBE.A SiGe HBT process compatible with convention al Si processes is developed,by whic h the SiGe HBT is fabricated successfully.The results of test in dicated that the current gainβis 50and the cut -off frequency f T is 5.1GHz.

关 键 词：锗硅材料 分子束外延 异质结双极晶体管 优化设计 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]