温度、Ge含量和掺杂浓度对Si_(1-x)Ge_x禁带宽度的影响  

Bandgap Narrowing of Strained Si_(1-x)Ge_x as a Function of Ge Fraction,Temperature and Impurity Concentration

作　　者：金海岩[1] 张利春[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第9期1122-1126,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式 ,改善了以往经验公式局限性较大的缺点 ,拓宽了公式的使用范围 .分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好 .An empirical method is proposed for determining the total bandgap narrowing in the base of a SiGe HBT,which is a function of temperature,impurity concentration and germanium fraction.Calculated values have been obtained for a wide range of boron base doping concentrations at different temperatures.The results are very comparable with the theoretical and experimental results given by the literature.

关 键 词：掺杂浓度 温度 锗 锗硅材料 禁带宽度 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]