超高真空化学气相沉积

作品数：19被引量：43H指数：4
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相关机构：浙江大学中国科学院厦门大学清华大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《物理化学学报》《物理学报》《电子工业专用设备》更多>>
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硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量被引量：1
《半导体技术》2019年第4期297-301,共5页许怡红 王尘 陈松岩 李成 
福建省自然科学基金资助项目(2018J05115);厦门理工学院高层次人才资助项目(YKJ16012R)
研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子...
关键词：硅缓冲层 锗(Ge) 选区外延生长 超高真空化学气相沉积 退火 
硅基锗薄膜选区外延生长研究被引量：5
《物理学报》2015年第12期407-411,共5页汪建元 王尘 李成 陈松岩 
国家自然科学基金(批准号:61474094);国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503)资助的课题~~
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层和选区外延技术,在Si/Si O2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律.测试结果显示,...
关键词：超高真空化学气相沉积 选区外延 锗 
UHVCVD外延设备的热场设计
《电子工业专用设备》2013年第5期19-22,共4页李佳 魏唯 何华云 宁宗娥 
介绍了超高真空化学气相沉积(UHVCVD)锗硅外延设备的加热室设计方法,完善了相关的炉体设计,相关温度指标达到设计标准。
关键词：超高真空化学气相沉积 锗硅 热场 
超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用
《电子工业专用设备》2013年第4期1-8,23,共9页赵瓛 张彬庭 
综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。
关键词：锗硅 外延生长 超高真空化学气相沉积 
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜被引量：7
《光电子．激光》2011年第7期1030-1033,共4页周志文 贺敬凯 李成 余金中 
国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404)
采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎...
关键词：Ge薄膜 低温缓冲层技术 表面形貌 超高真空化学气相沉积(UHV-CVD) 
超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性被引量：2
《浙江大学学报（工学版）》2006年第12期2041-2043,2078,共4页吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉 
国家科技部攀登计划资助项目(981101040);浙江省科技厅计划资助项目(991110535)
为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管．利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点，采用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）技术，550℃下，在硅光刻窗口处，选择性生长了锗...
关键词：超高真空化学气相沉积 选择性外延 锗硅 肖特基二极管 
外延工艺在集成电路制造产业中的应用被引量：2
《集成电路应用》2006年第7期49-50,共2页向玉双 
外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），...
关键词：外延工艺 制造产业 集成电路 超高真空化学气相沉积 SIGE/SI 应用 单晶材料 外延生长 分子束外延 外延层 
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜被引量：2
《物理学报》2006年第7期3756-3759,共4页吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉 
国家科技部攀登项目(批准号:981101040);浙江计划项目(批准号:991110535)资助的课题.~~
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响...
关键词：超高真空化学气相沉积 金属诱导 镍 多晶锗硅 
金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第4期721-724,共4页吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉 
国家科技部攀登计划(批准号:981101040);浙江省计划(批准号:991110535)资助项目~~
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生...
关键词：金属诱导生长 超高真空化学气相沉积 异质生长 NiSi化物 
金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2006年第3期236-239,共4页吴贵斌 叶志镇 赵星 刘国军 赵炳辉 
国家科技部攀登项目(No.981101040);浙江计划项目(No.991110535)
采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下,金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物,直至Ni被完全消耗完,接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长;首次制作了Al/PolySiGe/Ni Silicide肖特基二极管,对器件的I-V...
关键词：超高真空化学气相沉积 多晶锗硅 金属诱导生长 肖特基二极管 
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