金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜  

Metal-Induced Grown Poly-SiGe by SiGe Heteroepitaxy on Ni Disilicide

作　　者：吴贵斌[1] 叶志镇[1] 赵星[1] 刘国军[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第4期721-724,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家科技部攀登计划(批准号:981101040);浙江省计划(批准号:991110535)资助项目~~

摘　　要：采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了在Ni上生长多晶GeSi的生长方式及表面形貌随生长参数变化的规律.结果表明,在温度高于510℃时,Ni金属诱导作用明显;生长压强为10Pa时,多晶GeSi能够形成连续致密的薄膜,而采用先低压(0.1Pa)后高压(10Pa)的生长方式,多晶GeSi呈现分离的晶须状,晶须尺寸多在100nm以上.Poly-SiGe films are prepared using a metal-induced growth technique with an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition （UHVCVD） system at low temperatures. The crystal quality and surface morphology of the poly-SiGe films are characterized by XRD and SEM. The influences of various growth parameters on the surface morphology of the poly-SiGe films are investigated. It is shown that when the growth temperature is above 510℃ ,Ni has a great effect on the poly-SiGe growth. Uniform films are obtained at 10Pa,while densely packed SiGe whiskers are formed when adopting a low-high pressure growth mode.

关 键 词：金属诱导生长 超高真空化学气相沉积 异质生长 NiSi化物 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]