SiGeHBT的二维数值模拟分析设计  

The Design and Realization of a Submicron Device Simulator for SiGe HBT

作　　者：杨廉峰[1] 吴金[1] 刘其贵[1] 夏君[1] 魏同立[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第3期313-319,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：九五攻关项目 97-773 -0 5 -0 1;国家自然科学基金 6980 60 0 2;江苏省自然科学基金 BK970 0 6资助项目

摘　　要：采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型 (HDM) ,对 Si Ge HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计。在 SMDS1.0模拟软件 [1]的基础之上 ,软件的设计仍采用面向对象技术 ,因而该软件仍将保持良好的可扩展性等特点 。This paper applie s the hydrodynamic model to design and r ealize a submicron device simulator for SiGe HBT. Based on the device simulator SMDS 1.0 , the software proposed in this paper also applies the object-or iented technology. Thus, the system stil l remains its extensionality and other cha racteristics and it can be extended to s imulate other HBT devices and submicron homogeneous devices.

关 键 词：异质结双极晶体管 器件模拟 锗化硅 面向对象 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]