王任卿

作品数：10被引量：25H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SIGE_HBT发射极SIGE异质结双极晶体管热稳定性异质结双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《北京工业大学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
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IGBT热疲劳工作对焊料层可靠性的影响被引量：14
《固体电子学研究与进展》2014年第3期288-292,共5页田蕴杰 张小玲 谢雪松 佘烁杰 吕长志 王任卿 
IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效。通过有限元软件ANSYS建立了两种新的分散空洞模型,在工作功率条件下对比5%到50%...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 热疲劳 空洞率 空洞位置 
3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：5
《北京工业大学学报》2012年第8期1162-1166,共5页丁春宝 张万荣 谢红云 沈珮 陈亮 尤云霞 孙博韬 王任卿 
国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4122014)
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为...
关键词：低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 达林顿对 
采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究被引量：1
《物理学报》2011年第7期794-798,共5页陈亮 张万荣 金冬月 谢红云 肖盈 王任卿 丁春宝 
国家自然科学基金(批准号:60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教计划(批准号:00200054RA001)资助的课题~~
为了提高多发射极功率异质结双极晶体管的热稳定性,本文利用耦合热阻表征发射极指间距变化对发射极指间热耦合作用的影响,得到了耦合热阻与发射极指间距之间的变化关系,提出了发射极非均匀指间距技术.通过热电反馈模型对采用发射极非均...
关键词：异质结双极晶体管 热稳定性分析 发射极 非均匀 间距 技术 功率 耦合作用 
基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响
《半导体技术》2011年第4期261-264,共4页付强 张万荣 金冬月 谢红云 赵昕 王任卿 
国家自然科学基金(60776051;60376033;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM2007010005015;KM200910005001)
相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少...
关键词：SIGE异质结双极晶体管 基区重掺杂 热电正反馈 热学性能 掺杂浓度 
能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
《物理学报》2011年第4期310-315,共6页肖盈 张万荣 金冬月 陈亮 王任卿 谢红云 
国家自然科学基金(批准号:60776051);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001)资助的课题~~
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流...
关键词：SIGEHBT Ge组分 热电反馈 镇流电阻 
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
《半导体技术》2011年第2期101-103,共3页陈亮 张万荣 金冬月 肖盈 王任卿 尤云霞 
国家自然科学基金项目(60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距S...
关键词：异质结双极晶体管 环境温度 热电反馈模型 结温 耗散功率 
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
《半导体技术》2011年第1期31-35,共5页孙博韬 张万荣 金冬月 谢红云 丁春宝 尤云霞 王任卿 
国家自然科学基金项目(60776051;61006059;61006044;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵...
关键词：噪声抵消结构 噪声系数 解析表达式 优化设计 有源匹配电路 
基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
《电子器件》2010年第6期680-683,共4页王任卿 张万荣 金冬月 陈亮 丁春宝 肖盈 孙博韬 赵昕 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301)
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温...
关键词：SIGE HBT 热模拟 分段结构 自热效应 
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