云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 沈珮

沈珮: 作品数：20被引量：36H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>; 发文主题：SIGE_HBT低噪声放大器超宽带HBT射频更多>>; 发文领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>; 发文期刊：《微电子学》《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》《半导体技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>

改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计: 《北京工业大学学报》2012年第8期1158-1161,共4页沈珮张万荣金冬月谢红云黄璐; 国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4082007); 研究有源器件SiGe HBT的几何参数对单片低噪声放大器(LNA)噪声性能的影响.基于0.35μm SiGeBiCMOS工艺,研制了4款采用不同几何参数的SiGe HBT LNA.实验结果显示,在给定的偏置条件下,当发射极宽长比较小时,小范围改变发射极宽度对噪声系...; 关键词：硅锗异质结双极型晶体管低噪声放大器噪声系数

3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：5: 《北京工业大学学报》2012年第8期1162-1166,共5页丁春宝张万荣谢红云沈珮陈亮尤云霞孙博韬王任卿; 国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4122014); 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为...; 关键词：低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管达林顿对

Cascode射频有源电感的设计被引量：3: 《电子器件》2011年第1期40-43,共4页尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮丁春宝孙博韬; 国家自然科学基金项目资助(60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目; 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分...; 关键词：有源电感反馈品质因数自谐振频率

双频段低噪声放大器的设计被引量：3: 《电子器件》2010年第5期582-586,共5页谢红云王文军张万荣沈珮丁春宝尤云霞孙博韬; 国家自然科学基金项目资助(60776051;61006044);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京工业大学教育教学研究项目资助(ER2009-B-11);北京工业大学学科与研究生教育创新人才培养计划资助(00200054Y4003); 适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹...; 关键词：双频段低噪声放大器匹配

新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1: 《北京工业大学学报》2010年第9期1181-1185,共5页沈珮张万荣金冬月谢红云尤云霞孙博韬肖盈; 国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京人才强教深化计划--服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学第八届研究生科技基金; 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和...; 关键词：低噪声放大器超宽带达林顿对电流增益

SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造被引量：4: 《电子与信息学报》2010年第8期2028-2032,共5页沈珮张万荣金冬月谢红云; 国家自然科学基金(60776051;60376033);北京市自然科学基金(4082007);北京市教委科技发展计划(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金(67002013200301);北京工业大学第七届研究生科技基金资助课题; 该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺...; 关键词：硅锗异质结双极晶体管低噪声放大器单片集成噪声系数

基于SiGe HBT的射频有源电感的设计被引量：3: 《电子器件》2010年第4期424-427,共4页尤云霞张万荣金冬月谢红云沈珮陈亮丁春宝孙博韬; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301); 基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带...; 关键词：有源电感回转器品质因数自谐振频率

改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文): 《功能材料与器件学报》2009年第5期511-515,共5页金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳; National Natural Science Foundation of China (60776051 and 60376033);Beijing Municipal Natural Science Foun-dation,China (4082007);State 973 project, Beijing Municipal Education Committee,China (KM200710005015);Beijing Municipaltrans -century Talent Project (67002013200301);Young Science Foundation of BJUT (97002013200701);Ph.D Start Science Foundation of BJUT(52002013200701);the 6th Science and Technology Postgraduate Foundation of BJUT(ykj -2007-1970); 提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距...; 关键词：SIGE HBT 热稳定性

3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3: 《电子器件》2009年第2期311-314,共4页李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学博士科研启动费资助(52002013200701); 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真...; 关键词：射频放大器低噪声放大器电路设计超宽带 SIGE HBTS

一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1: 《电子器件》2009年第1期45-48,共4页甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳; 国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学研究生科技基金重点资助项目(YKJ-2007-3005);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301); 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA...; 关键词：射频放大器可变增益电路设计 WCDMA SIGEHBT ADS

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