甘军宁

作品数：6被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：低噪声放大器SIGE_HBTHBT超宽带并联电容更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子器件》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)
《功能材料与器件学报》2009年第5期511-515,共5页金冬月 张万荣 谢红云 沈珮 胡宁 甘军宁 李佳 
National Natural Science Foundation of China (60776051 and 60376033);Beijing Municipal Natural Science Foun-dation,China (4082007);State 973 project, Beijing Municipal Education Committee,China (KM200710005015);Beijing Municipaltrans -century Talent Project (67002013200301);Young Science Foundation of BJUT (97002013200701);Ph.D Start Science Foundation of BJUT(52002013200701);the 6th Science and Technology Postgraduate Foundation of BJUT(ykj -2007-1970)
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距...
关键词：SIGE HBT 热稳定性 
3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
《电子器件》2009年第2期311-314,共4页李佳 张万荣 谢红云 金冬月 沈珮 甘军宁 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学博士科研启动费资助(52002013200701)
根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真...
关键词：射频放大器 低噪声放大器 电路设计 超宽带 SIGE HBTS 
一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1
《电子器件》2009年第1期45-48,共4页甘军宁 张万荣 谢红云 金冬月 沈珮 李佳 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金资助(97002013200701);北京工业大学研究生科技基金重点资助项目(YKJ-2007-3005);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301)
第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA...
关键词：射频放大器 可变增益 电路设计 WCDMA SIGEHBT ADS 
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT被引量：2
《功能材料与器件学报》2009年第1期15-19,共5页沈珮 张万荣 谢红云 金冬月 李佳 甘军宁 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 热耦合效应 电流处理能力 
基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
《半导体技术》2008年第5期425-427,445,共4页李佳 张万荣 谢红云 张蔚 沈珮 甘军宁 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市自然科学基金项目(4082007)
基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系...
关键词：硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11A 
射频E类功率放大器并联电容技术研究被引量：2
《半导体技术》2008年第4期333-335,359,共4页甘军宁 张万荣 谢红云 何莉剑 李佳 沈珮 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市自然科学基金项目(4082007)
为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了...
关键词：射频功率放大器 E类 并联电容 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部