具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT  

Multiple emitter-finger microwave power GeSi HBT with large current-handling capability

作　　者：沈珮[1] 张万荣 谢红云[1] 金冬月[1] 李佳[1] 甘军宁[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京100124

出　　处：《功能材料与器件学报》2009年第1期15-19,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)

摘　　要：本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐减少，分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的。并且通过测试所得到的I0值，证明多指GeSiHBT可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力。Multi - finger microwave power GeSi HBT were designed and fabricated. The current handling capability was studied through testing the emitter current densities. Experimental results show that the emitter current linear density of unit perimeter（ I0 ） varies from 1.67 to 1.06 A/era for GeSi HBT with 20 to 80 emitter fingers. As the emitter fingers increasing, I0 reduces which result from non - uniform tempera- tures profile on emitters led by thermal coupling among emitter -fingers. The results benchmarks the Ge- Si HBT could obtain larger current handling capability by choosing the reasonable emitter fingers, length and area of emitter stripe.

关 键 词：锗硅异质结双极晶体管 热耦合效应 电流处理能力 

分 类 号：TN323[电子电信—物理电子学]