SIGE异质结双极晶体管

作品数：26被引量：44H指数：4
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小尺寸应变SOI SiGe异质结双极晶体管
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2021年第6期955-961,共7页苗乃丹 王冠宇 文剑豪 于明道 周春宇 王巍 
国家自然科学基金(61704147)。
为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor,HBT)的频率特性。基于传统的SOI SiGe HBT器件结构,通过减小发射区和集电区的窗口尺...
关键词：单轴应变 SOI SiGe HBT 小尺寸 电学特性 频率特性 
氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究
《重庆理工大学学报（自然科学）》2021年第5期163-169,共7页刘培培 文剑豪 魏进希 王冠宇 周春宇 
国家自然科学基金项目(61704147);河北省教育厅科学基金项目(QN2017150)。
为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_(3)N_(4))应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_(3)N_(4),使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_(T)和...
关键词：单轴应变 SOI SiGe HBT 埋氧化层厚度 频率特性 
SiGe HBT高频相关噪声的简洁建模
《固体电子学研究与进展》2017年第3期164-167,186,共5页赵爱峰 王军 胡帅 
国家自然科学基金资助项目(69901003)
基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对SiGe HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模...
关键词：SIGE异质结双极晶体管 简洁模型 噪声建模 四噪声参数 
具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT被引量：1
《北京工业大学学报》2016年第7期994-1000,共7页金冬月 王肖 张万荣 高光渤 赵馨仪 郭燕玲 付强 
中国博士后科学基金资助项目(2015M580951);北京市博士后科学基金资助项目(2015ZZ-11)
为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷...
关键词：SiGe异质结双极晶体管(HBT) 超结 击穿电压 
沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究
《物理学报》2014年第14期395-402,共8页刘静 武瑜 高勇 
国家自然科学基金(批准号:61204094);高等学校博士学科点专向科研基金(批准号:20106118120003);陕西省工业攻关(批准号:2014K08-30);陕西省教育厅科学研究计划(批准号:11JK0924)资助的课题~~
提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提...
关键词：SIGE异质结双极晶体管 沟槽型发射极 发射极电阻 
SiGe异质结双极晶体管的基区优化被引量：1
《微电子学》2013年第3期431-434,共4页刘冬华 石晶 钱文生 
国家"十一.五"科技重大专项资助项目(2009ZX02303)
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化。研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有效地改进SiGe HBT的直流特性,同时能够提高器...
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 基区优化 Ge组分 掺杂浓度 
新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量：2
《物理学报》2013年第10期270-275,共6页鲁东 金冬月 张万荣 张瑜洁 付强 胡瑞心 高栋 张卿远 霍文娟 周孟龙 邵翔鹏 
国家自然科学基金(批准号:61006059;60776051;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学...
关键词：SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布 发射极指间距渐变技术 热稳定性 
基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计被引量：1
《北京工业大学学报》2012年第12期1822-1827,共6页丁春宝 张万荣 金冬月 谢红云 赵彦晓 
国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4122014)
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未...
关键词：低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 有源匹配 噪声抵消 
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计被引量：4
《高技术通讯》2012年第10期1070-1076,共7页丁春宝 张万荣 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 
国家自然科学基金（60776051,61006044,61006059）和北京市自然科学基金（4082007,4122014）资助项目.
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准...
关键词：低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器 
3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：5
《北京工业大学学报》2012年第8期1162-1166,共5页丁春宝 张万荣 谢红云 沈珮 陈亮 尤云霞 孙博韬 王任卿 
国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4122014)
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为...
关键词：低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 达林顿对 
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