邵翔鹏

作品数:5被引量:7H指数:2
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供职机构:北京工业大学更多>>
发文主题:低噪声放大器超宽带CMOS有源电感超宽带低噪声放大器更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《电子技术应用》《微电子学》《物理学报》《电子器件》更多>>
所获基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市人才强教计划项目更多>>
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基于噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器被引量:3
《电子器件》2015年第1期74-77,共4页邵翔鹏 张万荣 丁春宝 张卿远 高栋 霍文娟 周孟龙 鲁东 
国家自然科学基金项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然科学基金项目(4142007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
实现了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。该UWB LNA由输入级、中间级和输出级组成。在输入级,采用两个共栅配置构成了噪声抵消技术,减少了噪声,在此结构基础上进一步采用了跨导增强技术,提高了增益。同时插入的电感Lin提高了LNA在宽带...
关键词:噪声抵消 跨导增强:超宽带 CMOS 
低功耗宽带CMOS低噪声放大器
《电子器件》2014年第5期908-911,共4页邵翔鹏 张万荣 丁春宝 张卿远 高栋 周孟龙 鲁东 霍文娟 
国家自然基金项目(60776051);北京市自然基金项目(4142007;4143059)
实现了一款低功耗的宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器由三级电路组成,由于每一级都采用了电流复用技术,显著地降低了功耗。在电路中产生负零点来抵消极点,提高增益平坦度。低Q值电路拓展带宽。经0.18μm TSMC CMOS工艺仿真验证,在...
关键词:低噪声放大器 低功耗 电流复用 CMOS 
一种基于SiGe HBT的宽动态范围可变增益放大器被引量:1
《微电子学》2013年第6期773-776,共4页张卿远 张万荣 邢光辉 高栋 周孟龙 邵翔鹏 鲁东 霍文娟 
国家自然科学基金资助项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然科学基金资助项目(4082007);北京市教委科技发展计划资助项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市人才强教深化计划-服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA)。放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制级和输出级。采用新提出的增益控制结构,实现了较宽的增益动态范围。采用安捷伦的ADS仿真工具,对设计的...
关键词:可变增益放大器 锗硅 异质结双极晶体管 
采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA被引量:1
《电子技术应用》2013年第8期33-36,共4页张卿远 张万荣 丁春宝 邢光辉 周孟龙 高栋 鲁东 霍文娟 邵翔鹏 
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz^5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续...
关键词:超宽带 CMOS 增益可调 低噪声放大器 
新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管被引量:2
《物理学报》2013年第10期270-275,共6页鲁东 金冬月 张万荣 张瑜洁 付强 胡瑞心 高栋 张卿远 霍文娟 周孟龙 邵翔鹏 
国家自然科学基金(批准号:61006059;60776051;61006049);北京市自然科学基金(批准号:4082007);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教服务北京计划资助的课题~~
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型,分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学...
关键词:SIGE异质结双极晶体管 GE组分分布 发射极指间距渐变技术 热稳定性 
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