尤云霞

作品数：10被引量：18H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：SIGE_HBT有源电感灵敏放大器低噪声放大器回转器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微电子学与计算机》《北京工业大学学报》《电子器件》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划国家科技重大专项更多>>
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基于SiGe HBT的射频功率放大器被引量：2
《微电子学与计算机》2014年第4期144-147,共4页尤云霞 陈岚 王海永 吕志强 
国家科技重大专项课题(2009ZX02303-04)
基于国内的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,针对该工艺下SiGe HBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究,给出了功率放大器的设计优化过程,比较了功率SiGe HBTs在共射和共基两种结构下的频率与最大功率增益性能....
关键词：功率放大器 SiGe异质结双极型晶体管 功率 S参数 
2.4 GHz SiGe HBT E类高功率放大器
《电子器件》2014年第2期235-239,共5页尤云霞 陈岚 王海永 吴玉平 吕志强 
国家科技重大专项课题项目(2009ZX02303-04)
针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求,提出了一种Cascode结构的2.4 GHz E类高功率放大器。它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了片内全集成,包括输入与输出匹配网络...
关键词：功率放大器 E类 Cascode结构 功率器件 
3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计被引量：5
《北京工业大学学报》2012年第8期1162-1166,共5页丁春宝 张万荣 谢红云 沈珮 陈亮 尤云霞 孙博韬 王任卿 
国家自然科学基金资助项目(60776051);北京市自然科学基金资助项目(4122014)
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为...
关键词：低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 达林顿对 
Cascode射频有源电感的设计被引量：3
《电子器件》2011年第1期40-43,共4页尤云霞 张万荣 金冬月 谢红云 沈珮 丁春宝 孙博韬 
国家自然科学基金项目资助(60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目
基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分...
关键词：有源电感 反馈 品质因数 自谐振频率 
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
《半导体技术》2011年第2期101-103,共3页陈亮 张万荣 金冬月 肖盈 王任卿 尤云霞 
国家自然科学基金项目(60776051;61006059;61006044);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距S...
关键词：异质结双极晶体管 环境温度 热电反馈模型 结温 耗散功率 
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
《半导体技术》2011年第1期31-35,共5页孙博韬 张万荣 金冬月 谢红云 丁春宝 尤云霞 王任卿 
国家自然科学基金项目(60776051;61006059;61006044;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵...
关键词：噪声抵消结构 噪声系数 解析表达式 优化设计 有源匹配电路 
双频段低噪声放大器的设计被引量：3
《电子器件》2010年第5期582-586,共5页谢红云 王文军 张万荣 沈珮 丁春宝 尤云霞 孙博韬 
国家自然科学基金项目资助(60776051;61006044);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京工业大学教育教学研究项目资助(ER2009-B-11);北京工业大学学科与研究生教育创新人才培养计划资助(00200054Y4003)
适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹...
关键词：双频段 低噪声放大器 匹配 
新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器被引量：1
《北京工业大学学报》2010年第9期1181-1185,共5页沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 尤云霞 孙博韬 肖盈 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目(4082007);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015;KM200910005001);北京人才强教深化计划--服务北京创新人才培养项目(0020005412A001);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学第八届研究生科技基金
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和...
关键词：低噪声放大器 超宽带 达林顿对 电流增益 
基于SiGe HBT的射频有源电感的设计被引量：3
《电子器件》2010年第4期424-427,共4页尤云霞 张万荣 金冬月 谢红云 沈珮 陈亮 丁春宝 孙博韬 
国家自然科学基金项目资助(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目资助(4082007);北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015;KM200910005001);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301)
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带...
关键词：有源电感 回转器 品质因数 自谐振频率 
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