李立

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：SIGE存储电荷SIGE_HBT异质结双极晶体管PSPICE更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《电子科技》《电子器件》更多>>
所获基金：国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
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量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型
《物理学报》2012年第16期348-354,共7页李立 刘红侠 杨兆年 
国家自然科学基金(批准号:61076097;60936005)资助的课题~~
Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了G...
关键词：SIGE P型场效应管 阈值电压 量子阱 空穴面密度 
海上大气波导的抛物方程法分析被引量：2
《电子科技》2010年第11期91-93,99,共4页董翠 李立 吴振森 
大气波导是影响电子信息系统的重要环境因素,影响着海上雷达等无线电系统的运作,文中利用抛物方程的离散混合傅里叶变换算法,建立了海上大气波导中电磁波传播路径模式,并对标准大气、蒸发波导和表面波导中的电磁波传播损耗进行比较,结...
关键词：大气波导 抛物方程 传输损耗 
基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响
《电子器件》2006年第3期635-638,共4页李立 戴显英 朱永刚 胡辉勇 
国家模拟集成电路重点实验室基金资助(JS09.2.1.DZ01.);国家部委预先研究项目资助(41308060108)
采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分...
关键词：SIGE PNP HBT Ge分布 电流增益β 特征频率fτ 
SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
《电子器件》2006年第1期82-84,87,共4页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 李立 姜涛 
国家部委预研资助项目(41308060108);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51408010301DZ01);西安电子科技大学青年科研工作站基金资助(03011#)
基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础...
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 存储电荷 扩散电容 PSPICE 
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