陈繁

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文主题：击穿电压锗硅异质结器件超高速CMOS更多>>
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SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究被引量：1
《微电子学》2017年第3期433-436,共4页陈繁 马婷 谭开洲 王兰 钟黎 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501)
对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形...
关键词：锗硅异质结器件 超结结构 分裂浮空埋层 击穿电压 掺杂分布 
一种CMOS超高速主从式采样/保持电路被引量：2
《微电子学》2017年第2期195-198,共4页陈振中 王永禄 胡蓉彬 陈繁 胡云斌 
基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿...
关键词：采样/保持电路 CMOS 主从式 超高速 A/D转换器 
高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究
《微电子学》2017年第1期118-121,共4页陈繁 谭开洲 陈振中 陈谱望 张静 崔伟 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501)
对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe ...
关键词：GE组分分布 锗硅/锗硅碳 击穿电压 异质结双极晶体管 掺杂特性 超结结构 
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