胡云斌

作品数：10被引量：20H指数：3
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供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文主题：电源抑制比带隙基准源基准电压源PSRR温度系数更多>>
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一种宽频带CMOS高速锁相环被引量：5
《微电子学》2018年第1期1-4,共4页王兰 胡刚毅 张瑞涛 胡云斌 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1602)
基于55nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL)。PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换。VCO采用分段式结构,实现了8.7~12.5GHz的宽频率范围。分段结构中,每个...
关键词：锁相环 压控振荡器 开关电容阵列 变容管阵列 
一种带曲率补偿的低压高PSRR带隙基准源被引量：3
《微电子学》2018年第1期5-8,13,共5页钟黎 王永禄 胡云斌 青旭东 秦少宏 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(614280201010101)
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高了...
关键词：带隙基准电压源 低电压 内电源 电源抑制比 温度系数 
一种缓冲器阻抗动态调整的LDO被引量：2
《微电子学》2017年第6期739-742,共4页胡云斌 胡永贵 周前能 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090113150C09043)
提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了...
关键词：低压差线性稳压器 源级跟随器 快速瞬态响应 
一种高PSRR无电阻带隙基准源被引量：3
《微电子学》2017年第4期457-460,共4页秦少宏 胡永贵 胡云斌 青旭东 周勇 钟黎 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090113150C09043)
设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的...
关键词：无电阻带隙电压基准 反馈环路 电源抑制比 温度系数 
一种有源零点补偿的片上LDO设计被引量：3
《微电子学》2017年第3期326-329,共4页胡云斌 周勇 胡永贵 顾宇晴 
提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了输出电压为1V、压差...
关键词：低压差线性稳压器 有源零点补偿 无片外电容 电源抑制比 
高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源
《微电子学》2017年第3期355-358,共4页周勇 胡云斌 胡刚毅 沈晓峰 顾宇晴 倪亚波 
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在...
关键词：低温度系数 高电源抑制比 全MOS 超低功耗 
一种0.6V CMOS基准电压源的设计
《微电子学》2017年第2期160-163,共4页胡云斌 胡永贵 周勇 顾宇晴 陈振中 
国家自然科学基金资助项目(60906009);中国博士后科学基金资助项目(20090451423);重庆科委基金资助项目(CSTC2010AA2004)
基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0...
关键词：低压基准电压源 CMOS 低压运放 衬底偏置 
一种全MOS型超低功耗基准电压源设计被引量：1
《微电子学》2017年第2期164-167,共4页周勇 胡刚毅 沈晓峰 胡云斌 顾宇晴 陈遐迩 
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55...
关键词：全MOS带隙基准源 超低功耗 低温度系数 
一种CMOS超高速主从式采样/保持电路被引量：2
《微电子学》2017年第2期195-198,共4页陈振中 王永禄 胡蓉彬 陈繁 胡云斌 
基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿...
关键词：采样/保持电路 CMOS 主从式 超高速 A/D转换器 
一种高温段曲率补偿基准电压源的设计被引量：2
《微电子学》2016年第6期754-757,共4页顾宇晴 李婷 胡云斌 王小力 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090111150C09041)
在传统电流型带隙基准源的基础上,设计了一种高温段曲率补偿基准电压源。利用工作在亚阈值区的PMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生非线性补偿电流,对温度特性曲线的高温段进行补偿。采用0.18μm标准CMOS工艺对电路进行设计与仿...
关键词：带隙基准 曲率补偿 亚阈值区 温度系数 
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