王兰

作品数：2被引量：6H指数：1
导出分析报告
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文主题：压控振荡器变容管高速锁相环宽频带开关电容阵列更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》更多>>
所获基金：模拟集成电路重点实验室基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种宽频带CMOS高速锁相环被引量：5
《微电子学》2018年第1期1-4,共4页王兰 胡刚毅 张瑞涛 胡云斌 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1602)
基于55nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL)。PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换。VCO采用分段式结构,实现了8.7~12.5GHz的宽频率范围。分段结构中,每个...
关键词：锁相环 压控振荡器 开关电容阵列 变容管阵列 
SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究被引量：1
《微电子学》2017年第3期433-436,共4页陈繁 马婷 谭开洲 王兰 钟黎 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501)
对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形...
关键词：锗硅异质结器件 超结结构 分裂浮空埋层 击穿电压 掺杂分布 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部