通态特性

作品数：15被引量：24H指数：3
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基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究
《固体电子学研究与进展》2017年第5期345-349,360,共6页张如亮 王彩琳 
国家自然科学基金资助项目(51477137);西安理工大学博士启动金资助项目(211317);西安市产学研协同创新计划资助项目(CXY1501)
Nakagawa-limit是基于硅基极窄台面间距IGBT提出的理论假设,发射极区只有电子电流流过,空穴电流只对电导调制有贡献。分别引入载流子存储层和P-ring结构,通过数值模拟分析方法,研究了改进结构对通态压降的降低情况;引入虚拟元胞结构,更...
关键词：绝缘栅双极晶体管 注入增强 Nakagawa-limit 部分窄Mesa 通态比电阻 
温度对3种IGBT结构通态特性的影响被引量：3
《电力电子技术》2016年第6期97-100,共4页冯松 高勇 
陕西省教育厅科研计划项目(15JK1292);西安工程大学研究生教育“质量工程”项目(15yzl10);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)~~
从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT(PT-IGBT),非穿通型-IGBT(NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析...
关键词：电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 通态特性 
碳化硅MOSFET器件特性的研究被引量：3
《电气自动化》2015年第3期44-45,67,共3页钟志远 秦海鸿 朱梓悦 袁源 余忠磊 
教育部博士点基金资助项目(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金;南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助(kfjj20130213)
由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特...
关键词：碳化硅 双脉冲测试 MOSFET 开关特性 通态特性 
快速晶闸管通态特性的改善被引量：2
《半导体技术》2014年第3期188-192,共5页刘国辉 田石 
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂...
关键词：快速晶闸管 通态特性 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 注入比 
PiN二极管通态模拟函数的研究被引量：1
《电源技术应用》2013年第3期45-50,共6页高占成 矫健 潘福泉 
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用maflab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。
关键词：PIN二极管 通态特性 模拟函数 matlab方法 
基于TCAD的门极换流晶闸管的研究
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2013年第3期285-286,302,共3页苏陶 刘玉欣 何晓雄 
安徽省自然科学基金资助项目(11040606M63);安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目(KJ2009JA091;KJ2012A228)
文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研...
关键词：门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件 
集成门极换流晶闸管器件特性研究被引量：6
《大功率变流技术》2012年第6期1-4,共4页吴煜东 陈芳林 雷云 蒋谊 
简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。
关键词：IGCT 阻断状态 开通过程 通态特性 关断过程 
PiN二极管通态模拟函数的研究
《变频技术应用》2012年第1期49-53,共5页矫健 揣荣岩 高占成 潘福泉 
叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用matlab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。
关键词：PIN二极管 通态特性 模拟函数 matlab方法 
P基区结构对GCT通态特性的影响
《辽宁大学学报（自然科学版）》2008年第4期293-295,共3页李佳 吴春瑜 康大为 
辽宁省科技厅自然科学基金(002021);辽宁省教育厅科学基金(2004D026)
介绍了非对称型门极换流晶闸管的P基区结构.在建立门极换流晶闸管器件模型基础上,利用MEDICI软件分析了P基区结构对门极换流晶闸管通态特性的影响.模拟结果表明,P基区的掺杂浓度和宽度对门极换流晶闸管通态压降有着重要的影响.通过调节...
关键词：门极换流晶闸管 通态压降 P基区 掺杂浓度 
SiGeC异质结功率二极管通态特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第3期455-459,共5页马丽 高勇 刘静 王彩琳 
国家自然科学基金(50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006);陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268)
研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...
关键词：硅锗碳/硅异质结功率二极管 正向通态特性 大功率 低功耗 
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