陈芳林

作品数:10被引量:36H指数:5
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供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
发文主题:阴极半导体器件晶闸管梳条集成门极换流晶闸管更多>>
发文领域:电子电信经济管理金属学及工艺更多>>
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IGCT晶片的封装结构设计被引量:8
《大功率变流技术》2015年第6期20-24,共5页曾文彬 颜骥 任亚东 陈芳林 潘学军 
IGCT的晶片结构不同于普通的晶闸管及二极管,因此其封装结构需要独特的设计,包括用于绝缘并传递压力的绝缘件、用于施加压力并保持压力稳定的弹性件以及用于组装并与外接口的管座等。这种独特的封装结构设计经过验证及考核,有效提升了I...
关键词:IGCT 封装结构 绝缘 弹簧 
IGCT配套FRD器件的性能优化
《大功率变流技术》2015年第5期29-33,共5页高建宁 陈芳林 张明 郭润庆 
首先介绍IGCT配套用FRD器件的特点和国内外发展现状,进而说明FRD器件的结构设计原则;详细阐述了FRD器件的粒子辐照技术,并采用质子辐照技术使FRD器件的反向恢复性能得到了极大的提升,完全满足IGCT器件的配套应用要求。
关键词:快恢复二极管 IGCT PIN结构 软恢复 粒子辐照 质子辐照 
逆导IGCT补偿型PNP隔离技术研究被引量:2
《大功率变流技术》2015年第1期31-35,共5页陈芳林 吴煜东 张明 唐龙谷 陈勇民 高建宁 
逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离。对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验证,结果表明该方法能有效提升隔离电压,并降低了隔离区的设计...
关键词:IGCT GCT 逆导 FRD 隔离 
集成门极换流晶闸管器件特性研究被引量:6
《大功率变流技术》2012年第6期1-4,共4页吴煜东 陈芳林 雷云 蒋谊 
简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。
关键词:IGCT 阻断状态 开通过程 通态特性 关断过程 
IGCT阴极图形排布的优化设计被引量:1
《大功率变流技术》2010年第4期5-8,共4页程银华 陈芳林 彭文华 
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善...
关键词:IGCT 梳条排布 分区复合排布 
GCT/GTO阴极梳条修理的方法
《大功率变流技术》2010年第2期6-8,11,共4页陈芳林 邹昌 程银华 
在分析GCT/GTO阴极结构的基础上,指出了阴极失效梳条的成因及其危害,就减少失效梳条带来的影响,介绍了阴极梳条修理方法和装置。实际生产的统计数据表明,修理梳条方法降低了GCT和GTO芯片废品率和生产成本。
关键词:GCT GTO 阴极梳条 失效梳条 
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺被引量:5
《大功率变流技术》2009年第6期11-13,30,共4页雷云 蒋谊 陈芳林 
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词:逆导型 IGCT 透明阳极 缓冲层 沟槽隔离 门极硬驱动 
国内IGCT器件的新进展被引量:9
《大功率变流技术》2008年第6期1-5,16,共6页张明 陈芳林 李继鲁 蒋谊 陈彦 赵燕峰 
概述国内IGCT器件近5年的发展,介绍国产IGCT器件产品,总结了研制取得的技术进步,并给出了IGCT器件的应用方向。
关键词:IGCT 发展 产品 技术 应用 
1100A/4500V逆导型IGCT组件的研究被引量:3
《变流技术与电力牵引》2007年第3期15-20,共6页张明 戴小平 李继鲁 蒋谊 陈芳林 
概述了一种新型可关断电力半导体组件——逆导型IGCT的基本结构及相关技术。介绍了新研制成功的1100A/4500V逆导型IGCT的主要参数和测试波形。
关键词:IGCT 逆导型 参数 测试波形 
KIc 4000-45非对称型IGCT组件的研究被引量:14
《变流技术与电力牵引》2007年第2期22-26,共5页张明 戴小平 李继鲁 蒋谊 陈芳林 
概述了新型可关断电力半导体组件IGCT的基本结构,提出了非对称结构IGCT组件的关键技术。详细介绍了新近研制的KIc4000-45非对称型IGCT组件的主要参数和测试及试验结果。
关键词:IGCT 结构 参数 关键技术 
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