透明阳极

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基于超薄透明Ag_(2)O/Ag阳极的高效有机电致发光器件
《发光学报》2023年第9期1644-1649,共6页陈煌煌 王琳嘉 尹娟 李国刚 吴志军 
国家自然科学基金(12004121)。
提出了一种通过在玻璃衬底表面引入氧化银种子层的方法,成功制备了具有良好表面、光学、电学特性的超薄透明导电Ag薄膜。首先,在玻璃衬底上用热沉积的方法生长1 nm Ag薄膜,然后对该薄膜进行空气等离子体处理,生成氧化银种子层,该种子层...
关键词：氧化银 空气等离子体 透明阳极 有机电致发光器件 
超高速脉冲晶闸管特性研究
《电子制作》2023年第8期90-93,共4页张桥 肖彦 黄智 任丽 
近年脉冲功率技术发展迅速,功率半导体脉冲晶闸管因其特有的大功率优势得到了越来越广泛的应用。在脉冲功率领域的超高速半导体开关器件要求超高开通速度、高通流能力、寿命长等特点。常规的功率半导体开关受开通速度限制,在某结场合无...
关键词：透明阳极 超高速 多元胞 缓冲层 脉冲晶闸管 
IGCT载流子寿命分布特性及参数提取方法研究
《电工电能新技术》2020年第2期1-9,共9页周亚星 陈芳林 王佳蕊 孔力 
中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC025)
集成门极换流晶闸管(IGCT)物理模型中载流子寿命与器件动静态特性有着密切联系。现有基于器件关断拖尾电流的载流子寿命参数提取方法,假设关断拖尾电流的衰减主要取决于基区载流子的复合而忽略了阳极电子电流的影响,但IGCT采用透明阳极...
关键词：集成门极换流晶闸管 载流子寿命 参数提取 透明阳极 
透明叠层结构Ag/MoO_3/Ag阳极对绿光OLED器件性能的影响被引量：3
《液晶与显示》2016年第1期74-79,共6页胡俊涛 邓亚飞 梅文娟 宗艳凤 
国家自然科学基金(No.21174036);国家高技术研究发展计划(863计划)(No.2012AA011901);科技部973计划前研专项(No.2012CB723406)~~
本文采用一种结构为Ag/MoO_3/Ag的金属/氧化物/金属(M_1/O/M_2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极,研究Ag/MoO_3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响。实验采用真空蒸镀方法制备了一系列器件,器件结构为Ag/MoO_...
关键词：叠层结构 银 透明阳极 OLED 
基于MoO_3/Ag/MoO_3透明阳极的顶发射OLED的模拟计算与制备被引量：3
《发光学报》2015年第4期459-465,共7页李源浩 武聪伶 杨君礼 李菀丽 刘慧慧 贾虎生 王华 刘旭光 伍永安 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-13-0927);国家国际科技合作项目(2012DFR50460);国家自然科学基金(61274056;61205179;61307030;5072105);山西省科技创新团队项目(2012041011)资助
运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(Li F)/三(8-羟基喹啉...
关键词：顶发射有机电致发光器件 模拟计算 三氧化钼 透射率 
基于TCAD的门极换流晶闸管的研究
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2013年第3期285-286,302,共3页苏陶 刘玉欣 何晓雄 
安徽省自然科学基金资助项目(11040606M63);安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目(KJ2009JA091;KJ2012A228)
文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研...
关键词：门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件 
关键技术对非对称型GCT的影响
《信息与电脑（理论版）》2010年第6期32-32,34,共2页吴琳 
在建立GCT器件模型的基础上,利用silvaco软件,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,决定GCT的通态压降的关键因素是缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该...
关键词：silvaco 缓冲层 透明阳极 通态压降 
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺被引量：5
《大功率变流技术》2009年第6期11-13,30,共4页雷云 蒋谊 陈芳林 
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词：逆导型 IGCT 透明阳极 缓冲层 沟槽隔离 门极硬驱动 
门极换流晶闸管关键技术的研究
《电力电子技术》2008年第12期52-56,共5页王彩琳 
陕西省自然科学基金项目(2007E208);陕西省教育厅专项科研计划项目(08JK379);西安理工大学博士启动基金项目~~
通过对门极换流晶闸管(GCT)关键技术的研究,提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构。借助MEDICI软件,模拟了GCT的各项特性及其在内部的微观现象,对透明阳极、缓冲层、隔离区等关键结构参数进行了优化设计,并对其制作工艺进行分析。研究结...
关键词：晶闸管 换流/门极换流晶闸管 透明阳极 沟槽隔离 
门极换流晶闸管(GCT)击穿机理的研究被引量：1
《电子器件》2008年第2期449-452,共4页王彩琳 高勇 马丽 刘静 
陕西省自然科学基金资助(2007E208);西安理工大学科研基金资助(105-210610)
简述了门极换流晶闸管(GCT)的耐压结构及其特点。利用MEDICI软件模拟和分析了具有不同结构参数的四种器件的阻断能力和通流能力,研究了GCT的击穿机理。结果表明,GCT的击穿实质上属于场阻止(FS)型击穿,并非穿通(PT)型击穿。从而指出以往...
关键词：电力半导体器件 门极换流晶闸管 场阻止层 透明阳极 击穿 
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