关键技术对非对称型GCT的影响  

作　　者：吴琳[1] 

机构地区：[1]辽宁广播电视大学,辽宁沈阳110034

出　　处：《信息与电脑（理论版）》2010年第6期32-32,34,共2页China Computer & Communication

摘　　要：在建立GCT器件模型的基础上,利用silvaco软件,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,决定GCT的通态压降的关键因素是缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。

关 键 词：silvaco 缓冲层 透明阳极 通态压降 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]