基于TCAD的门极换流晶闸管的研究  

Research on gate-commutated thyristor by TCAD

作　　者：苏陶[1] 刘玉欣[1] 何晓雄[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230009

出　　处：《合肥工业大学学报（自然科学版）》2013年第3期285-286,302,共3页Journal of Hefei University of Technology：Natural Science

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目(11040606M63);安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目(KJ2009JA091;KJ2012A228)

摘　　要：文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。The semiconductor simulation software ISE-TCAD is used to calculate gate-commutated thyristor（GCT）.According to the developed models,the influence of the transparent anode structure and the number of gates on the on-state characteristic of GCT device is studied.The results show that the total amount of impurity in the transparent anode is the key to determine the on-state voltage drop of GCT.The greater the total amount of impurity,the lower the on-state voltage drop.These results are very useful for the design and realization of GCT device.

关 键 词：门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]