雷云

作品数：4被引量：13H指数：2
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发文主题：隔离区高压器件集成门极换流晶闸管IGCT掺杂更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程更多>>
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集成门极换流晶闸管器件特性研究被引量：6
《大功率变流技术》2012年第6期1-4,共4页吴煜东 陈芳林 雷云 蒋谊 
简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。
关键词：IGCT 阻断状态 开通过程 通态特性 关断过程 
一种应用于脉冲功率领域的IGCT被引量：1
《大功率变流技术》2012年第6期5-9,共5页颜骥 雷云 任亚东 潘学军 曾文彬 余伟 熊思宇 
介绍一种适用于脉冲功率领域的大功率半导体器件IGCT,简述IGCT器件及其结构,IGCT器件的通流能力强、di/dt高,适于脉冲功率领域应用。进行了脉冲放电的试验并讨论了IGCT的串联应用技术。
关键词：脉冲功率技术 功率半导体器件 IGCT 串联 
1145RC-GCT局部电子辐照技术被引量：1
《大功率变流技术》2010年第2期9-11,共3页蒋谊 雷云 彭文华 
描述局部电子辐照技术在一种新型半导体器件——1145RC-GCT中的应用,介绍了局部电子辐照技术的实现方法及控制手段。
关键词：逆导型GCT 局部电子辐照 电照控制 
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺被引量：5
《大功率变流技术》2009年第6期11-13,30,共4页雷云 蒋谊 陈芳林 
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词：逆导型 IGCT 透明阳极 缓冲层 沟槽隔离 门极硬驱动 
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