一种应用于脉冲功率领域的IGCT  

Application of a IGCT for Pulsed Power

作　　者：颜骥[1] 雷云[1] 任亚东[1] 潘学军[1] 曾文彬[1] 余伟[1] 熊思宇[1] 

机构地区：[1]株洲南车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001

出　　处：《大功率变流技术》2012年第6期5-9,共5页HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY

摘　　要：介绍一种适用于脉冲功率领域的大功率半导体器件IGCT,简述IGCT器件及其结构,IGCT器件的通流能力强、di/dt高,适于脉冲功率领域应用。进行了脉冲放电的试验并讨论了IGCT的串联应用技术。It introduced a power semiconductor（IGCT） applied in pulsed power,including the device and the structure.IGCT is suitable for pulsed power applications owing to high current and high di/dt capability.Pulse discharge test was completed and then applications of the IGCT in series were discussed.

关 键 词：脉冲功率技术 功率半导体器件 IGCT 串联 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]