PiN二极管通态模拟函数的研究  

Research on Rectifier diode on state simulation function

作　　者：高占成 矫健 潘福泉 

机构地区：[1]北京东菱宏博电气科技发展有限公司,北京100054

出　　处：《电源技术应用》2013年第3期45-50,共6页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用maflab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。Describes the importance of research on state characteristic about power semiconductor devices. on the basis of the analysis obout the three international famous on state volt-ampere characteristics, illustrates the theory on state simulation function and the method of making on state simulation function using matlab program. Elaborated the practical significance of use on state simulation function.

关 键 词：PIN二极管 通态特性 模拟函数 matlab方法 

分 类 号：TM614[电气工程—电力系统及自动化]