碳化硅MOSFET器件特性的研究  

A Study on the Characteristics of Si C MOSFET Devices

作　　者：钟志远[1] 秦海鸿[1] 朱梓悦[1] 袁源[1] 余忠磊[1] 

机构地区：[1]南京航空航天大学自动化学院电气工程系,江苏南京210016

出　　处：《电气自动化》2015年第3期44-45,67,共3页Electrical Automation

基　　金：教育部博士点基金资助项目(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金;南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助(kfjj20130213)

摘　　要：由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导。Due to different material properties, there are significant differences in the electrical characteristics between SiC and Si MOSFET. So, Si MOSFET may not simply be replaced by SiC MOSFET. In order to grasp the working characteristics of SiC MOSFET in practical applications, this paper builds a double pulse test circuit and focuses on the analysis and summary of the on-state characteristic and switching characteristic. Experimental results can provide guide for optimized design of converters based on SiC MOSFET.

关 键 词：碳化硅 双脉冲测试 MOSFET 开关特性 通态特性 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]