王青

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：SIGE_HBTSIGEPSPICE软件异质结双极晶体管存储电荷更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家部委预研基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金武器装备预研基金更多>>
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溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1406-1410,共5页舒斌 张鹤鸣 王青 黄大鹏 宣荣喜 
武器装备预研基金资助项目(批准号:51408061104DZ01)~~
采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,...
关键词：溶胶-凝胶 铋锌铌薄膜 金属-绝缘层-半导体结构 电容-电压曲线 
SiGe HBT传输电流模型研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1059-1063,共5页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 崔晓英 王青 姜涛 
国家部委预研基金(批准号:41308060108);模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51408010301DZ01)资助项目~~
基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单....
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 传输电流 PSPICE软件 
SiGe HBT发射极延迟时间模型
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1384-1389,共6页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王顺祥 王伟 崔晓英 王青 王喜媛 
国家部委预研基金资助项目(批准号:41308060108;51408010301DZ0131)~~
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 发射极延迟时间 
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