N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响  

作　　者：薛兵[1] 陈涛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《甘肃科技》2017年第12期32-33,共2页Gansu Science and Technology

摘　　要：本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响。通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差<±1%。

关 键 词：硅外延片 电阻率 电容-电压法 势垒电容 

分 类 号：TM53[电气工程—电器]