硅外延片

作品数：64被引量：73H指数：5
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总投资12.3亿元,立昂微年产96万片12英寸硅外延片项目落地
《变频器世界》2025年第2期46-46,共1页
2月22日,杭州立昂微电子股份有限公司(证券简称:立昂微)发布关于签署投资协议书的进展公告,立昂微近日与嘉兴市南湖高新技术产业园区管理委员会正式签署《年产96万片12英寸硅外延片生产项目投资协议书》(以下简称“投资协议书”),将在...
关键词：固定资产投资 计划总投资 高新技术产业园区 外延片 项目落地 协议书 嘉兴市 证券 
大尺寸厚层硅外延片表面滑移线缺陷检验研究
《电子与封装》2024年第7期85-89,共5页葛华 王银海 杨帆 尤晓杰 
目前制约大尺寸厚层硅外延产品高质量生产的主要因素是表面滑移线,而滑移线的过程控制严重依赖于滑移线的完整、准确检验识别。通过对不同宏观显现的滑移线表征方法的研究,比较了各类检验的误差来源,分析出了影响硅外延滑移线量化计算...
关键词：滑移线 检验误差 量化计算 
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
《电子与封装》2024年第1期51-55,共5页徐卫东 肖健 何晶 袁夫通 
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间...
关键词：硅外延缺陷 背圈 晶圆背圈 ASM E2000外延炉 
硅外延片生产中工艺缺陷——滑移线的成因分析和控制措施被引量：1
《天津科技》2023年第12期35-37,共3页徐卫东 肖健 何晶 
滑移线是一种硅外延片生产中常见的缺陷,由于硅外延片在加热处理过程中受到不均匀的温度分布影响,导致其表面出现的一种工艺缺陷现象。结合生产设备ASM2000型号外延炉,阐述了滑移线的形成机理,通过研究衬底、基座、升降温速率、温场均...
关键词：硅外延缺陷 滑移线 PID控制 
硅外延片几何参数WARP研究
《电子元器件与信息技术》2023年第8期12-14,共3页骆红 谭卫东 魏建宇 
随着我国半导体工业的不断发展,当前的工业对于电子元器件的需求量也在不断攀升,同时对电子元器件材料以及制备工艺的相关研究也越来越重视。从人类发明二极管以来,硅材料的发展极大地促进了集成电路和整个微电子产业的不断发展。几何参...
关键词：硅外延 背封结构 降温速率 几何参数 WARP值 
200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究
《功能材料与器件学报》2023年第1期46-51,共6页仇光寅 刘勇 邓雪华 杨帆 金龙 
本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数...
关键词：埋层外延 高阻薄层 图形漂移 自掺杂 表面缺陷 
200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究被引量：1
《电子与封装》2022年第7期49-52,共4页刘勇 仇光寅 邓雪华 杨帆 金龙 
针对硅外延加工过程及所处环境,研究了200 mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HCl)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾...
关键词：硅外延 时间雾 环境阳离子 载片腔 氯化氢 
基于硅外延片用石墨基座的温度均匀性研究被引量：1
《电子与封装》2022年第4期59-63,共5页冯永平 何文俊 任凯 
通过对电磁感应加热的硅外延化学气相沉积反应腔室建立理论分析模型,结合工程实验对比,研究了不同石墨材料和不同基座结构对基座表面温度均匀性的影响。结果显示,在工程中,选择合适的石墨材料、设计合适的基座结构对硅外延片电阻率均匀...
关键词：电磁感应 石墨基座 石墨材料 基座结构 电阻率均匀性 
200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析被引量：3
《集成电路应用》2022年第1期54-55,共2页张晓博 
阐述硅外延片在电阻率和厚度一致性的问题,改善其一致性外延片的制备方法,包括装入衬底片、衬底气相抛光、变流量吹扫、本征生长、外延生长的工艺流程和工艺参数。
关键词：硅外延片 一致性 电阻率 
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