硅外延片几何参数WARP研究  

作　　者：骆红 谭卫东 魏建宇 

机构地区：[1]南京国盛电子有限公司,江苏南京210008

出　　处：《电子元器件与信息技术》2023年第8期12-14,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：随着我国半导体工业的不断发展,当前的工业对于电子元器件的需求量也在不断攀升,同时对电子元器件材料以及制备工艺的相关研究也越来越重视。从人类发明二极管以来,硅材料的发展极大地促进了集成电路和整个微电子产业的不断发展。几何参数WARP值是硅外延片的一项重要参数。本文从衬底及不同背封结构、外延厚度、降温速率等多个方面进行实验分析,确认不同背封结构的衬底经过高温外延后WARP值的变化趋势,以及外延厚度、降温速率等因素对外延片WARP值的影响,提升对外延片WARP的管控能力。

关 键 词：硅外延 背封结构 降温速率 几何参数 WARP值 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]