CV法测试电阻率的稳定性研究  

作　　者：居斌[1] 陈涛[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300000

出　　处：《科技创新与应用》2017年第6期45-46,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15?的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。

关 键 词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]