边娜

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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：SPC硅外延片硅外延电阻率势垒电容更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《工业计量》《科技创新与应用》更多>>
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硅外延生产中SPC技术的研究成果
《工业计量》2018年第2期65-67,共3页边娜 赵新明 陈涛 
统计过程控制技术是以数理统计为基础,通过生产数据统计分析,对生产过程是否处于统计受控状态做出定量结论。控制图本身只是一种工具或手段,绘制控制图的目的在于管制制程在我们所期望的范围内,合乎经济原则来生产产品。文章通过在硅外...
关键词：SPC 硅外延 质量改进 
CV法测试电阻率的稳定性研究
《科技创新与应用》2016年第33期12-12,共1页陈涛 李明达 李杨 边娜 
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水...
关键词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 
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