李发宁

作品数：2被引量：12H指数：2
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发文主题：大功率MPCVD宽禁带半导体宽禁带金刚石更多>>
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宽禁带半导体金刚石被引量：9
《电子科技》2004年第7期43-49,共7页李发宁 张鹤鸣 戴显英 朱国良 吕懿 
较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景。同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析...
关键词：宽禁带 金刚石 MPCVD 大功率 
三维CMOS集成电路技术研究被引量：3
《电子科技》2004年第7期21-26,共6页朱国良 张鹤鸣 胡辉勇 李发宁 舒斌 
论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一...
关键词：三维集成电路(3DIC) SI/SIGE CMOS SOI/SiGeOI 低温键合 
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