非晶硅薄膜晶体管

作品数：32被引量：38H指数：3
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静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究
《科技视界》2018年第20期225-226,共2页叶常茂 卢利清 
利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 漏电流 掺杂浓度 高斯分布 态密度 能带密度 
一种非晶硅薄膜晶体管栅极驱动电路
《信息通信》2017年第1期82-84,共3页房耸 
非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistors,a-Si TFT)具有器件性能均匀、成本低、适用于大面积显示的优点,是平板显示技术的主流基板材料。近年来由于集成栅极驱动电路(Gate Drivers Integrated in Array,GIA)在非晶...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 液晶显示面板 栅极驱动电路 窄边框 
基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取被引量：2
《半导体技术》2016年第10期746-750,共5页殷晓文 严利民 龚露鸣 
国家自然科学基金资助项目(61376028)
非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管(TFT) 归一化方法 RPI模型 参数提取 
非晶硅薄膜晶体管关态电流的物理模型被引量：1
《西安电子科技大学学报》2014年第5期135-140,共6页恩云飞 刘远 何玉娟 师谦 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(61204112);中国博士后科学基金资助项目(2012M521628)
基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流模型;基于空穴的一维连续性方程,提出有源层内空穴逃逸率的物理模型,并针对前沟空穴传导机制建立器件泄...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管 关态电流 泄漏电流 反向亚阈电流 
PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响被引量：2
《物理学报》2013年第13期525-531,共7页于遥 张晶思 陈黛黛 郭睿倩 谷至华 
为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备,不同的工艺参数对a-Si:HTFT场效应电子迁移率的影响.研究表明随着对欧姆接触层(n+层)分层数的增加,以及...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 电子迁移率 欧姆接触层 栅极绝缘层 
一种WXGA液晶显示器的非晶硅栅极驱动电路被引量：1
《测试技术学报》2011年第3期249-253,共5页何常德 廖聪维 梁逸南 张盛东 David Dai Smart Chung T.S.Jen 
国家自然科学基金(60876048);全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(200440)
介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中所有的薄膜晶体管器件均不会长期工作在直流偏置电压下.这种电路结构设计能够极大地减小非晶硅薄膜晶体管...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 移位寄存器 栅极驱动电路 阈值电压漂移 
非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型
《微电子学》2011年第2期304-309,共6页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东工业大学博士启动项目(4051105006)
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 栅电容 表面势 
非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型被引量：2
《微电子学》2011年第1期150-154,共5页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东工业大学博士启动项目(405105006)
当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率。通过描述漏端...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 空穴传导 逃逸率 
非晶硅薄膜晶体管的热阻模型
《液晶与显示》2011年第1期28-33,共6页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金(No.60776020);广东工业大学博士启动项目(No.405105006)
基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 热阻 自热效应 温度分布 
非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真被引量：5
《华南理工大学学报（自然科学版）》2009年第1期15-18,33,共5页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);Cadence公司基金资助项目
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理.仿真结果表明:在长沟道器件中,随着漏源电压的增加,体电流的传输机制将转变为...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管 不饱和输出电流 数值仿真 空间电荷限制传导 漏致势垒降低 
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