静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究  

作　　者：叶常茂[1] 卢利清[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心,广东广州510663

出　　处：《科技视界》2018年第20期225-226,共2页Science & Technology Vision

摘　　要：利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小。

关 键 词：非晶硅薄膜晶体管 漏电流 掺杂浓度 高斯分布 态密度 能带密度 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]