陈黛黛

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：TFTPECVD分层结构非晶硅薄膜晶体管电子迁移率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响被引量：2
《物理学报》2013年第13期525-531,共7页于遥 张晶思 陈黛黛 郭睿倩 谷至华 
为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备,不同的工艺参数对a-Si:HTFT场效应电子迁移率的影响.研究表明随着对欧姆接触层(n+层)分层数的增加,以及...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 电子迁移率 欧姆接触层 栅极绝缘层 
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