胡成

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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：表面势表面电场金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应势垒更多>>
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22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
《半导体技术》2012年第3期184-187,共4页杨颖琳 胡成 朱伦 许鹏 朱志炜 张卫 吴东平 
国家科技重大专项(2009ZX02305-003);上海高校特聘教授(东方学者)岗位计划资助项目
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函...
关键词：异质栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子效应 表面电场 表面势 漏致势垒降低效应 
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