GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型  

作　　者：高博[1] 刘红侠[1] 匡潜玮[1] 周文[1] 曹磊[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第8期966-974,共9页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(编号:708083)、教育部新世纪优秀人才计划(编号:NCET-05-0851)、教育部博士点基金(编号:200807010010)资助项目

摘　　要：通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.

关 键 词：GAN P-I-N 紫外探测器 光生载流子屏蔽效应 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]