高博

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：P-I-NMESH结构延迟线TDR边界值更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》《电子与信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目西安应用材料创新基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
《物理学报》2012年第5期452-458,共7页刘红侠 高博 卓青青 王勇淮 
国家自然科学基金(批准号:61076097,60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);微电子预研资助项目(批准号:513080401)资助的课题~~
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响...
关键词：ALGAN/GAN异质结 光探测器 p-i-n结构 极化效应 
GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型
《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第8期966-974,共9页高博 刘红侠 匡潜玮 周文 曹磊 
国家自然科学基金(批准号:60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金(编号:708083)、教育部新世纪优秀人才计划(编号:NCET-05-0851)、教育部博士点基金(编号:200807010010)资助项目
通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论...
关键词：GAN P-I-N 紫外探测器 光生载流子屏蔽效应 
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1
《电子与信息学报》2010年第1期210-213,共4页周文 刘红侠 匡潜玮 高博 曹磊 
国家自然科学基金(60206006);教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-05-0851);西安应用材料创新基金(XA-AM-200701)资助课题
该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同...
关键词：集成电路 多余物缺陷 信号串扰 铜互连 可靠性 
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