王勇淮

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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：ALGAN/GAN异质结极化效应GAN基材料PIN光探测器晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
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极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
《物理学报》2012年第5期452-458,共7页刘红侠 高博 卓青青 王勇淮 
国家自然科学基金(批准号:61076097,60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);微电子预研资助项目(批准号:513080401)资助的课题~~
基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响...
关键词：ALGAN/GAN异质结 光探测器 p-i-n结构 极化效应 
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
《西安电子科技大学学报》2011年第5期147-151,共5页刘红侠 卢风铭 王勇淮 宋大建 武毅 
国家自然科学基金资助项目(60976068;61076097);教育部科技创新工程重大项目培育基金资助项目(708083);十二五国家部委预研资助项目(513080401)
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、...
关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结 二维电子气 多子带模型 能级分布 
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