黄力

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：北京航空航天大学电子信息工程学院更多>>
发文主题：高K材料介质石墨烯FINFET更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
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高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
《物理学报》2012年第13期473-480,共8页黄力 黄安平 郑晓虎 肖志松 王玫 
国家自然科学基金(批准号:51172009;51172013和11074020);教育部新世纪优秀人才计划(NCET-08-0029)资助的课题~~
当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、...
关键词：高K材料 FINFET 石墨烯器件 忆阻器 
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