白杰

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供职机构:兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题:CTMAL2O3高K材料阻挡层隧穿更多>>
发文领域:自动化与计算机技术更多>>
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所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
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电荷俘获存储器阻挡层研究进展
《微纳电子技术》2012年第6期360-368,共9页白杰 霍宗亮 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00600;2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073);国家重大科技专项(2009ZX02023005)
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介...
关键词:电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高K材料 隧穿 AL2O3 
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