张天福

作品数：2被引量：15H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文主题：MOS结构氧化层陷阱电离辐射效应多晶硅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子科技》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金国家部委预研基金更多>>
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多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
《电子科技》2009年第11期88-91,共4页张天福 杜磊 何亮 陈伟华 赵鸿飞 
国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)
在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/...
关键词：多晶硅 1/f噪声 迁移率涨落 载流子数涨落 
MOS结构电离辐射效应模型研究被引量：15
《物理学报》2009年第6期4090-4095,共6页陈伟华 杜磊 庄奕琪 包军林 何亮 张天福 张雪 
国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题~~
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与...
关键词：MOS结构 辐射 界面陷阱 氧化层陷阱 
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