赵鸿飞

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：Γ射线辐照Γ射线基区电阻单结晶体管电阻变化更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《电子科技》更多>>
所获基金：西安应用材料创新基金国家部委预研基金国家自然科学基金更多>>
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硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
《物理学报》2011年第2期750-755,共6页赵鸿飞 杜磊 何亮 包军林 
国家自然科学基金(批准号:60376023);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200603)资助的课题~~
针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出...
关键词：单结晶体管 Γ射线 实时监测 基区电阻 
硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究被引量：3
《电子科技》2010年第2期33-35,共3页赵鸿飞 杜磊 何亮 包军林 
部委项目基金资助项目
对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管...
关键词：单结晶体管(UJT) Γ射线 实时监测 基区电阻 
多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
《电子科技》2009年第11期88-91,共4页张天福 杜磊 何亮 陈伟华 赵鸿飞 
国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603)
在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/...
关键词：多晶硅 1/f噪声 迁移率涨落 载流子数涨落 
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