基区电阻

作品数：7被引量：5H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：罗蕾任敏李泽宏张波谢驰更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司电子科技大学清华大学南京华瑞微集成电路有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《物理学报》《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
相关基金：国家自然科学基金张家口市科学技术研究与发展计划项目河北省教育厅高等学校自然科学研究项目西安应用材料创新基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用最小二乘法解决的一个物理问题被引量：1
《河北北方学院学报（自然科学版）》2012年第1期8-11,共4页唐妍霞 
河北省教育厅自然科学研究项目(2006103);张家口市2009年科学技术研究与发展计划项目(0911008B-3)
介绍了一种用最小二乘法测试晶体管基区电阻rbb的方法,得出了晶体管电流放大系数β值不同rbb值不同的结论,并对rbe的计算公式进行了修正.
关键词：最小二乘法 晶体管 输入电阻 基区电阻 电压放大倍数 
硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
《物理学报》2011年第2期750-755,共6页赵鸿飞 杜磊 何亮 包军林 
国家自然科学基金(批准号:60376023);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200603)资助的课题~~
针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出...
关键词：单结晶体管 Γ射线 实时监测 基区电阻 
硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究被引量：3
《电子科技》2010年第2期33-35,共3页赵鸿飞 杜磊 何亮 包军林 
部委项目基金资助项目
对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管...
关键词：单结晶体管(UJT) Γ射线 实时监测 基区电阻 
晶体管基区电阻r_(bb)的测试被引量：1
《物理实验》2004年第4期31-32,34,共3页张启林 
介绍了一种测试晶体管基区电阻rbb的方法 ,得出了晶体管电流放大系数 β值不同rbb值不同的结论 。
关键词：晶体管 基区电阻 输入电阻 电压放大倍数 电阻测量 空载 电流放大系数 电子线路实验 实验设计 
双极型器件基区电阻的测量
《半导体技术》1998年第3期29-31,共3页冒慧敏 
着重介绍了三种测量基区电阻Ｒｂ的ＤＣ测量法，并通过反面实例说明其中两种方法（１．由Ｉ－Ｖ特性来提取Ｒｂ及Ｒｅ；２．基于碰撞离子产生的反向基区电流的ＤＣ法）的局限性，指出第三种方法（双基极引线孔法）是值得借鉴的方法。Ｄ...
关键词：基区电阻 DC测量法 器件参数 双极型 半导体器件 
双极型器件基区电阻的测量
《微电子学》1997年第6期395-397,共3页冒慧敏 
用直流方法测量双极器件的基区电阻是一种简单易行的方法。本文比较研究了常用的三种测量方法，通过反面实例，说明根据Ｉ－Ｖ特性提取Ｒｂ和基于碰撞离子产生的反向基区电流ｄｃ法有一定的局限性，而双基极引线孔法可克服它们的一些固...
关键词：半导体器件 双极器件 物理分析 直流测量 
低温高速双极晶体管基区的优化设计
《东南大学学报（自然科学版）》1995年第3期34-38,共5页李垚 魏同立 沈克强 
国家自然科学基金
本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温高速双极晶体管的优化设计作了探讨。
关键词：低温 基区电阻 双极晶体管 优化设计 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部