双极型器件基区电阻的测量  

Measurement of Base Resistance in Bipolar Transistors

作　　者：冒慧敏 

机构地区：[1]上海先进半导体制造有限公司

出　　处：《微电子学》1997年第6期395-397,共3页Microelectronics

摘　　要：用直流方法测量双极器件的基区电阻是一种简单易行的方法。本文比较研究了常用的三种测量方法，通过反面实例，说明根据Ｉ－Ｖ特性提取Ｒｂ和基于碰撞离子产生的反向基区电流ｄｃ法有一定的局限性，而双基极引线孔法可克服它们的一些固有缺陷。Three　methods　for　dc　measurement　of　the　base　resistance　RB　are　described　in　the　paperLimitations　of　two　methods,extraction　of　RB　and　RE　from　IV　curves　and　dc　measurement　based　on　reverse　base　current　induced　by　impact　ions,are　illustratedIt　is　pointed　out　that　the　third　method,double　base　contacts,is　a　method　worth　trying

关 键 词：半导体器件 双极器件 物理分析 直流测量 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]