晶体管基区电阻r_(bb)的测试  

Testing base resistance r_(bb) of transistor

作　　者：张启林[1] 

机构地区：[1]河北北方学院物理系,河北张家口075000

出　　处：《物理实验》2004年第4期31-32,34,共3页Physics Experimentation

摘　　要：介绍了一种测试晶体管基区电阻rbb的方法 ,得出了晶体管电流放大系数 β值不同rbb值不同的结论 。A method for testing base resistance of transistor is introduced. A conclusion is drawn that the r bb is changed with β value of current amplification coefficient of transistor. The calculating formula for r be is corrected.

关 键 词：晶体管 基区电阻 输入电阻 电压放大倍数 电阻测量 空载 电流放大系数 电子线路实验 实验设计 

分 类 号：TN710[电子电信—电路与系统]