G-R噪声

作品数：11被引量：30H指数：3
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PbS红外探测器低频噪声物理模型及缺陷表征研究被引量：2
《物理学报》2011年第10期573-578,共6页陈文豪 杜磊 殷雪松 康莉 王芳 陈松 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB631002)资助的课题~~
为了表征PbS薄膜光导红外探测器的材料缺陷,详细推导了1/f和产生-复合(g-r)噪声物理模型,并由实验数据验证了模型的准确性.利用1/f噪声与表面缺陷关系,计算了不同偏压下表面陷阱密度.得到该值随偏压升高而增加,由此得出1/f噪声与所加偏...
关键词：红外探测器 1/f噪声 G-R噪声 缺陷 
PbS红外探测器的低频噪声特性研究被引量：5
《红外技术》2010年第12期704-707,共4页殷雪松 杜磊 陈文豪 王芳 彭丽娟 
PbS红外探测器的研究开始较早,由于其室温的优越性,至今应用仍很广泛。然而噪声严重影响了其性能,因此其噪声的研究目前很受重视。首先阐述了光导探测器的低频噪声理论;其次给出一简便而实用的PbS红外探测器低频噪声测量系统;最后在PbS...
关键词：低频噪声 1/f噪声 G-R噪声 产生机理 
低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性被引量：3
《光电子．激光》2008年第4期449-452,共4页郜峰利 郭树旭 曹军胜 张爽 于思瑶 
国家自然科学基金资助项目(60471009);吉林省重大科技发展计划资助项目(200403001-4)
测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度。实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小...
关键词：半导体激光器 1/f噪声 G-R噪声 可靠性 动态电阻 
混合集成光电耦合器噪声特性研究
《混合微电子技术》2007年第1期11-17,58,共8页胡瑾 杜磊 包军林 周江 庄奕琪 
光电耦合器件作为光电混合器件比一般分立器件结构复杂，其内部噪声的种类较多，在低频时主要表现为1/f噪声，高频时主要表现为散粒噪声。本文在介绍光电耦合器件工作原理的基础上，从理论上分析了1/f噪声产生机理。设计了噪声测量方法...
关键词：光电耦合器件 LED 光敏三极管 1/f噪声 G-R噪声 可靠性 
镍铬薄膜电阻器噪声特性研究被引量：2
《电子元件与材料》2006年第1期55-58,65,共5页吴勇 杜磊 庄奕琪 魏文彦 仵建平 
国家自然科学基金资助项目(60376023)
薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理...
关键词：电子技术 镍铬薄膜电阻 低频噪声 1/f噪声 G-R噪声 噪声来源 电迁移 
光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究被引量：8
《光子学报》2005年第6期857-860,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 
国家自然科学基金(No.60276028);国防预研基金(No.51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(No.51433030103DZ01)资助
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪...
关键词：1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级 
光电耦合器件g-r噪声模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1208-1213,共6页包军林 庄奕琪 杜磊 吴勇 马仲发 
国家自然科学基金(批准号:60276028);国防预研基金(批准号:51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(批准号:51433030103DZ01)资助项目~~
在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三...
关键词：1/f噪声 g—r噪声 光电耦合器件 深能级缺陷 
利用高阶累积量判断晶体管的g-r噪声
《吉林工业大学自然科学学报》2001年第2期77-81,共5页李娟 王树勋 
在论证了晶体管低频噪声中的 g r噪声服从非高斯分布之后 ,提出了一种通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来判断是否含有 g r噪声的新方法 ,并通过实验验证了该方法的正确性。
关键词：高阶累积量 G-R噪声 晶体管 低频噪声 偏态 非高斯分布 信号处理 
数字超大规模集成电路中的噪声分析与研究被引量：6
《山东工业大学学报》2000年第4期367-372,共6页陈江华 
指出了半导体器件中存在的噪声及其特点 ,并针对当今数字 VLSI(VeryLarge Scale Integrated—超大规模集成 )电路的特点 ,通过计算 ,分析和讨论了各种噪声对数字 VLSI电路造成的影响 .特别指出了随着现代数字 VLSI电路的元器件几何尺寸...
关键词：超大规模集成电路 白噪声 热噪声 散粒噪声 G-R噪声 1/F噪声 
双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析
《电子学报》1996年第8期111-114,共4页庄奕琪 孙青 侯洵 
本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件...
关键词：G-R噪声 双极晶体管 深能级 
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