利用高阶累积量判断晶体管的g-r噪声  

Research to Distinguish Transistor g-r Noise with Higher Order Cumulant

作　　者：李娟[1] 王树勋 

机构地区：[1]吉林大学南岭校区信息科学与工程学院,吉林长春130025

出　　处：《吉林工业大学自然科学学报》2001年第2期77-81,共5页Natural Science Journal of Jilin University of Technology

摘　　要：在论证了晶体管低频噪声中的 g r噪声服从非高斯分布之后 ,提出了一种通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来判断是否含有 g r噪声的新方法 ,并通过实验验证了该方法的正确性。This disseration proves that the g r noise,a kind of low frequency noise of transistor,is Nongaussion distribution and then gives a new method through computing higher order cumulant of low frequecy noise of transistor to distinguish g r noise.Experiments show this method is correct.

关 键 词：高阶累积量 G-R噪声 晶体管 低频噪声 偏态 非高斯分布 信号处理 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TN307